1.- Introducción y Características Técnicas
Hoy analizamos el producto fuerte de Kingston, las memorias. En concreto analizamos una memoria de bajo voltaje y por tanto mejora la refrigeración en nuestros equipos.El modelo concreto es el KHX1600C9D3LK2/8GX, son dos módulos de 4GB a 1600Mhz, con un consumo de 1,35v a máxima velocidad.
Kingston, compañía fundada en 1987, es el mayor fabricante de memorias del mundo. En los últimos años el mercado ha empezado a demandar Memorias USB, Memorias Flash y Discos SSD; y en este sector Kingston también ha focalizado su desarrollo.
A continuación describimos todas las especificaciones técnicas de las memorias LoVo de Kingston:
- Modelo: KHX1600C9D3LK2/8GX
- Tamaño Total: 8GB
- Velocidad: 1600Mhz
- Soporta Intel® XMP(Extreme Memory Profiles)
- Low Voltage: 1,35V
- Formato: DDR3 DIMM
- Numero de Módulos: 2
- CL(IDD): 9 cycles
- Row Cycle Time (tRCmin): 49.5ns (min.)
- Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin): 160ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin): 36ns (min.)
- Power (Operating): 1.410 W* (per module)
- UL Rating: 94V – 0
- Operating Temperature: 0ºC to 85ºC
- Storage Temperature: -55ºC to +100ºC
- JEDEC standard 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Power Supply
- VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
- 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin
- 8 independent internal bank
- Programmable CAS Latency: 9, 8, 7, 6
- Posted CAS
- Programmable Additive Latency: 0, CL – 2, or CL – 1 clock
- Programmable CAS Write Latency(CWL) = 7 (DDR3-1333)
- 8-bit pre-fetch
- Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS]
- Bi-directional Differential Data Strobe
- Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
- On Die Termination using ODT pin
- Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C
- Asynchronous Reset
- PCB : Height 1.180” (30.00mm), double sided component